R6022YNXC7G
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | R6022YNXC7G |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.50 |
10+ | $4.042 |
100+ | $3.3113 |
500+ | $2.8189 |
1000+ | $2.3774 |
2000+ | $2.2585 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 6V @ 1.8mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220FM |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 6.5A, 12V |
Verlustleistung (max) | 65W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 12V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Tc) |
Grundproduktnummer | R6022 |
DIODE GP 1.2KV 250A DO205AB DO9
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
DIODE GP 1KV 250A DO205AB DO9
MOSFET N-CH 600V 24A TO3
MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
DIODE GP 1KV 220A DO205AB DO9
DIODE GP 1.4KV 350A DO205AB DO9
600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
DIODE GP 1KV 350A DO205AB DO9
MOSFET N-CH 600V 24A TO247
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
DIODE GP 1.2KV 350A DO205AB DO9
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
DIODE GP 1.2KV 220A DO205AB DO9
MOSFET N-CH 650V 35A TO PKG
DIODE GP 1.4KV 250A DO205AB DO9
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() R6022YNXC7GRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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